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led照明厂家?国内外LED封装技术进展

文章来源:19cfcc彩富网 更新时间:2017-11-09 02:58


目前,LED光电产业还是一个新兴产业,触及到芯片制造技术、封装技术、散热技术、二次配光技术、智能控制技术等多个技术规模。它具有耗电量少、寿命长、无净化、颜色厚实、耐震动、可控性强等特质。

随沉溺信技术的发达,LED的亮度有了较大的进步,LED芯片的代价也在慢慢下降。由于PC-LED(色转换型发光二级管)的发光效率逐年增加,目前Cree报道其实验室数据已横跨231lm/w。LED芯片衬底的代价在LED芯片的占据很大的比重,现阶段首要是蓝宝石衬底,其代价绝对较高。

普瑞光电公司于2011年3月颁布,他们已经告成告结束最新的基于硅衬底的LED制造技术研发成效。该技术首要操纵本钱较低的硅来取代目前操纵的更高贵的制造质料。该公司相关掌管人表示,135lm/W的氮化镓硅衬底GaN-on-Silicon坐蓐技术代表了行业界第一个商业级硅衬底LED技术的冲破。

国外LED产业技术的发达情景

作为欧洲保守照明巨头的飞利浦和欧司朗于2000年前投入巨资起首了LED照明基础技术的研商,其中欧司朗在白光LED用荧光质料方面平昔具有抢先上风。而飞利浦(Philips)则携其资本的壮健上风,在LED应用规模首先收买美国Lumileds公司及其他具有技术上风的计划公司,得到其多项重点技术。

美国以Cree为代表在LED方面有多项专利技术,其中最具代表的是SiC衬底技术,SiC衬底与GaN质料的晶格适配度惟有3.5%,而现阶段其他厂商用的蓝宝石衬底与GaN质料的晶格适配度高达17%。不单如此,SiC衬底具有优异的导热性和导电性,故不采用Al2O3-GaN-LED的倒装焊技术就能够处理散热题目,而是采用高低电极的布局。但是SiC衬底的瑕玷就是代价对比高贵,且难以制备。

超高亮度的LED蓝光技术是由日自己中村修二于1980年代研发进去。日本市场对LED应用的支持力度极度大,随着近些年政府强力推出积分换购LED产品的计划,LED产品在日本市场的贩卖增进率平昔遥遥抢先于其他国度。看待韩国以及中国台湾地域由于具有较为幼稚的半导体制造和研发技术,目前全世界70%的中高端LED芯片制造都是在这个区域完成。

中国LED产业技术的发达情景

我国LED产业起步于20世纪60年代,80年代造成产业。大局部重点专利技术掌握在Nichia(日亚)、Cree、ToyodaGosei、Lumileds及Osrwim等多数大公司手中,每年国际的关于LED的专利请求固然也很多,但是贫乏重点技术,根本群集在LED封装以及LED灯具的应用方面。

至本年8月,中国半导体照明的总产值已抵达900亿元。下游内涵和芯片规模,去年投产的MOCVD为135台,至本年年底将有300台MOCVD安设完毕,估计到2012年会接近1000台,2015年会横跨1500台,产值抵达225亿。并且中游封装规模,企业起首向下游应用延长,下游应用规模,发达至2011年,中国坐蓐照明用功率器件厂家有上百家之多,坐蓐大功率LED品格也各不一致。

国际目前以国星光电、九州光电、瑞丰光电、山西光宇、中宇光电等厂家坐蓐的照明用LED代表国产器件的较高水平。国际坐蓐LED芯片的首要厂家有三安光电、迪源光电、华灿光电、士兰明芯、上海蓝光、上海蓝宝。

LED衬底以及芯片制造占70%的成本,封装占20%的成本,封装产品的应用占10%的成本。中国的内涵质料与重点器件如故处于中低端的水平,贫乏低本钱、高信得过性的重点器件,撑持产业发达的重点征战依赖入口。

平昔以来,我国都是LED的封装大国,国际具有代表性的公司是国星光电,最近国星光电创办一种新型基于高导热系数的金属+PCB板的大功率LED封装布局,其采用最新的立体阵列硅胶塑封成型工艺制造的LED,具有光效高、热阻低、显色性好、寿命长和信得过性初等特质。但是做封装的企业首要群集在中低端LED器件封装规模,而高端LED器件封装规模,涉足的企业还很少。

我国的功率型LED芯片以及一些封装的协助质料还必要入口,必然水平上遭到国外的限制,大功率的LED封装工艺有待进一步圆满,尚不能造成完整的LED产业链。大功率LED的发达平昔以照明应用为首要宗旨。

国际的封装产品多采用保守的灌封工艺,行将荧光粉与高透射率的硅树脂混合调匀后,采用点胶机在反射杯中滴入过量混合胶体,议定热固化造成荧光粉层。还未见批量坐蓐的立体涂层产品,目前该工艺还处于研发阶段。

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